2025年，天岳先进（688234.SH、2631.HK）整体碳化硅衬底、6英寸碳化硅衬底、8英寸碳化硅衬底，三项全球市场占有率皆为第一。其中8英寸碳化硅衬底全球市占率更是突破50%。
近日，日本知名调研机构富士经济发布报告显示，2025年，多年来一直占据全球碳化硅衬底市场榜首的美国狼速公司（Wolfspeed），被中国企业天岳先进挤下了宝座。
从站稳全球前三，到2024年跃居全球第二，再到2025年全面领跑，天岳先进用三年时间完成了跨越式突破。天岳先进也用硬核技术，以中国力量改写了全球碳化硅半导体的产业格局。
从“跟跑”到“领跑”
“这种跨越式突破，本质上是国家战略导向与企业硬核技术的一次深度共振。天岳先进用三年时间，从‘站稳前三’到8英寸衬底市场占有率突破50%，这不仅是一个商业数字的跨越，更是中国在宽禁带半导体领域掌握‘核心制高点’的明证。”北京交通大学经济管理学院助理教授于耀称，这标志着我国不仅打破了国际巨头的长期垄断，更在下一代功率半导体的底层材料上，实现了真正的自主可控。
碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。衬底制备难度大成本高，企业的市场份额代表了技术实力，也代表一国在关键半导体材料领域的产业话语权。
2023年之前，天岳先进的市场占有率虽然连续多年稳居全球前三，但与海外大厂Wolfspeed相比仍存在较大差距。不过天岳先进在该领域的突破，着实解决了我国关键材料“卡脖子”的问题。
随着2023年年中公司临港工厂的投产，天岳先进的长期技术积累得以转化为市场话语权。2024年，天岳先进以22.80%的市场份额位居全球第二，紧追Wolfspeed之后。
2025年，天岳先进开启了战略进攻阶段。凭借持续攀升的产能与技术优势，通过与博世、英飞凌、安森美等国际大厂合作，天岳先进6英寸产品、8英寸产品全球市场占有率全面提升，实现了从“跟跑”到“领跑”的关键跨越。
天岳先进实现全球市场占有率第一，打破了海外企业长期垄断的行业格局，为中国半导体材料产业赢得了全球话语权。在硅半导体材料领域，目前全球半导体硅片市场由少数头部企业主导，前五大厂商集中在日韩企业，合计占据超过80%的市场份额，虽然中国本土企业近年来在12英寸硅片领域取得进展，但高端产品国产化率仍较低。值得一提的是，天岳先进能在8英寸及以上大尺寸碳化硅衬底上获得突破，率先在碳化硅半导体材料领域改写了竞争格局。
天岳先进8英寸碳化硅衬底全球市场占有率已突破50%，显著领先全行业。天岳先进在业内首创使用液相法制备技术，能够制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。其引领大尺寸衬底突破，也已让全球碳化硅产业迈入全新发展时代。
据统计，目前全球已有超过10条8英寸碳化硅产线规划落地，德国英飞凌、博世，日本罗姆等企业已经明确了8英寸SiC产线升级的路线图和时间表。与6英寸相比，8英寸衬底可增加芯片产量90%，降低成本54%。
在更为先进的12英寸碳化硅衬底研发上，天岳先进同样占尽先机。公司最早布局12英寸碳化硅技术，2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成导电型、半绝缘型、P型全产品矩阵构建。
总而言之，天岳先进已在不同尺寸产品上均建立起优势，并成为行业大尺寸化趋势的最有话语权和实力的引领者。
“公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化，是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，具备先发优势。”平安证券研报称。
浙商证券也在研报中表示，衬底向大尺寸发展已成必然趋势，天岳先进是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。公司有望凭借在大尺寸衬底的先发优势和技术积累，有望进一步抢占市场份额。
2025年，天岳先进凭借碳化硅衬底材料技术的革命性突破，荣获日本《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料类金奖”，这是该奖项设立31年以来首次授予中国企业，也代表了国际半导体行业对天岳先进在该领域所做贡献的高度认可。
同年，公司获得博世集团颁发的“全球供应商奖”，这已是天岳先进连续多年斩获博世集团的各类奖项，体现了全球客户对天岳先进产品过硬品质的充分肯定。
在国内，继2021年凭借半绝缘型碳化硅衬底获评“国家制造业单项冠军”，2025年天岳先进凭借导电型碳化硅衬底再次获评，成为行业内罕见的“双冠王”。
开启下游应用新局面
天岳先进科技创新的不断突破，也为下游产业带来了更多机遇。
在Wolfspeed时代，碳化硅衬底来源受限，成本极高，无法实现大规模应用。正是以天岳先进为代表的国内衬底材料企业实现规模化突破，推动了我国碳化硅半导体产业自主创新，为电动汽车、新能源、AI数据中心等下游领域的规模化应用打开了广阔发展空间。
以新能源车为例，2018年特斯拉率先在主驱逆变器中应用碳化硅器件，但初期碳化硅成本高，再加上供应端基本掌控在少数几家欧美企业手中，导致碳化硅技术很难在国产汽车品牌中大规模应用。而如今，国产新能源汽车主驱模块中的碳化硅器件已经由“高端选配”加速迈向“主流标配”。
当前，除新能源汽车、光储充等赛道外，AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、AR眼镜/光学领域、先进封装等新赛道正迎来碳化硅的应用突破，这也是天岳先进等企业锚定这一领域的底气所在。
AI算力的指数级爆发，正倒逼数据中心进行供电架构的革命性升级。800V高压直流（HVDC）成为行业主流选择，而固态变压器（SST）则作为核心枢纽，碳化硅技术迎来前所未有的市场机遇。
AR眼镜/光学领域，半绝缘型碳化硅衬底凭借高折射率、高透光、高热稳、低色散特性，在AR/VR光学领域实现突破性应用，成为消费电子新增长点。
在先进封装领域，碳化硅的高热导率、高机械强度和良好的电绝缘性，使其成为芯片封装领域的理想材料。在2.5D/3D封装中，碳化硅中介层可替代硅中介层，有效降低芯片运行温度，提升散热性能，同时减少封装尺寸，满足高功耗芯片的散热需求。台积电等企业正在推进碳化硅衬底在CoWoS封装中的应用。
为了在新赛道上继续抢得先机，天岳先进正在加大产能建设，巩固行业地位。早在2024年，天岳先进就提出了96万片的产能规划，并分步实施，目前正在按计划推进。
2025年8月，天岳先进成功登陆港交所，成为A+H两地上市的唯一碳化硅衬底企业，资本实力进一步充实，募集资金将用于国内外项目的产能建设。而资本实力的夯实，有力保障了公司战略的落地，助力公司的业务在AI数据中心、先进封装、AR光学等碳化硅新兴赛道兴起之际抢得先机。
“未来，随着8英寸碳化硅衬底产能的全面释放，全球新能源汽车、高压快充以及光伏储能产业将迎来新一轮的‘成本红利期’。这种由中国企业主导的供应链重构，将极大加速全球能源转型的进程。有理由相信，天岳先进的成功只是一个开端。”于耀表示，未来将看到的，不仅是单一企业的登顶，更是中国第三代半导体产业链在全球范围内从“并跑”走向“全面领跑”的新纪元。
（文/孙汝祥 来源：中国经营网）
